脉冲激光沉积（PLD）是一种真空镀膜技术。由于使用这种方法，能量源位于腔室外部，因此可以使用超高真空（UHV）或是富含工作气体的环境。结合靶和反应气体之间的化学反应，这可以沉积各种不同的材料，例如高温超导体，氧化物，氮化物，碳化物，半导体，金属甚至聚合物或富勒烯都可以高沉积速率生长。 PLD工艺的脉冲性质甚至允许制备复杂的聚合物-金属化合物和多层。在真空中，源于高能粒子沉积的注入和混合效应导致形成亚稳态相，例如纳米晶高度过饱和的固溶体和非晶态合金。在惰性气体气氛中进行制备，甚至可以通过改变沉积颗粒的动能来调节薄膜的性能（应力，织构，反射率，磁性等）。所有这些使PLD成为用于生长高质量薄膜的另一种沉积技术。

 

使用脉冲激光沉积（PLD），通过一个或多个被聚焦脉冲激光束照射的目标来制备薄膜。PLD每脉冲约0.1 nm的高沉积速率，这种沉积技术已广泛用于各种氧化物，氮化物或碳化物，还用于制备金属体系，甚至聚合物或富勒烯。典型的实验装置PLD的典型装置。在超高真空（UHV）室中，脉冲或聚焦激光束以45°角撞击基本或合金靶。从靶材烧蚀的原子和离子沉积在基板上。通常，基板与目标表面平行的表面与目标之间的距离通常为2-10 cm。在我们的案例中，UHV约为10-9 mbar，准分子激光具有KrF辐射（波长248 nm，脉冲持续时间30 ns），目标到衬底的距离为3使用–7厘米。为了从目标获得稳定的烧蚀率。通过调整每个目标上的激光脉冲数量，可以创建具有所需单层和双层厚度的多层。应用了两种生长合金体系的方法，即使用大块合金靶或成分的基本靶。在后一种情况下，假定每个靶上的脉冲数足够低，成长的厚度小于一个单原子层。

 

我们产品的主要特点：

 

1、PLD-12L 与PLD-18L装有激光加热系统，这是特别适合富氧或富氮气氛的完美加热器。它提供了一种高度局部的加热机制，可以容易地将衬底加热到1200℃，从而使附近的部件保持在低温以避免由于除气而造成衬底污染。

2、腔体紧凑，抽气速度快。

3、PLD-18L可安装行星靶材料安装架，标准可安装六个，最多可安装八个一英寸靶材或是四个两英寸靶材。靶材操纵可旋转及自转。旋转，以选择不同的靶材材料，自转可提高薄膜沉积靶材材料的使用效率。PLD-18L可以装置激光扫描镜头，可以实现大面积样品的生长。可以兼容两只磁控溅射靶或四支束源炉。PLD-18L的扩充性强大，可以装4只束源炉或是等离子体源/电子束蒸发源，靶台可装8个1寸靶或者4个2寸靶。也有空间可以安装椭偏仪。

4、可配反射高能电子衍射（High Pressure RHEED）。

5、可加装椭偏仪，及实时监控。

6、特殊的激光视窗保护机构可保护视窗，且价格合理。

7、可使用mask生长出独特的薄膜图案。

8、FBBEAR控制软件使过程自动化，实现了精确控制和高稳定性。9、FBBEAR控制软件提供完整的数据记录、精确的参数调整，使用户操作简单，实验重复性可靠。

 

应用：

 

可沉积异质结金属氧化物(如Fe/SrTiO3、Nb/SrTiO3、BiFeO3等)、高温超导材料、硅氧化物、高k氧化物、金属氮化物、铁电材料等。