铠柏科技Sputter 24超高真空磁控溅射镀膜机有多种子系统都是使用第一流UHV配件及高精尖的技术研制的高温样品架在氧气或臭氧环境下使用效率好, 在真空内没有加热组件所以不会故障加热可以达到1100摄氏度，本底真空可达到10^-9 ~ 10^-10 Torr量级。在超高真空环境下制备出的薄膜材料含氧量低、晶粒性更为明显，非常适用于氧化物半导体, 磁性材料, 铌, 铝超导结、量子器件和自旋电子学的研究开发。

技术参数：

1. 可配备离子束辅助沉积；

2. 可配备样品预清洗功能；

3. 可配备快速进样室；

4. 本底真空可达10^-9 ~ 10^-10 Torr；

5.  单基片设计，尺寸10X10mm, 2inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch

6. 基片可旋转并加热：300℃/800℃/ 使用激光加热可达1100摄氏度；

7. 最多可拓展6支磁控溅射靶枪，共溅射；

8. 靶枪角度可调，溅镀距离可调，标准靶与强磁靶；

9. 防交叉污染隔板设计；

10. 可配备自动压力控制系统；